崗位職責 1.針對IGBT和碳化硅MOS等功率器件和模塊，根據實際應用需求進行定制化可靠性測試方案設計和測試流程開發； 2.能夠完成測試方案設計，測試流程開發，測試數據整理分析，測試報告，測試方法研究報告等相關文檔撰寫； 3.熟悉AQG-324，AEC-Q101等車規級可靠性認證標準，能夠獨立完成功率器件和模塊的可靠性測試方案設計和測試試驗操作（包括靜態參數測試，HTRB，HTGB，H3TRB，TST，PCmin，PCsec，C-SAM，瞬態熱阻等）； 4.熟悉功率器件和模塊的工作原理，針對試驗過程中出現的常見故障和失效進行快速排查和處理，使試驗順利進行； 5.熟悉功率器件和模塊的失效機理，針對試驗過程中出現的器件失效進行失效分析，對試驗數據進行整理分析并撰寫測試報告； 6.熟悉IGBT和碳化硅MOS等功率器件和模塊的性能參數，完成實驗室可靠性相關設備日常維護和設備校驗等工作，聯系設備廠商定制老化板和試驗耗材采購，能夠提出配件和耗材的定制需求規格； 7.帶領實驗員完成IGBT，碳化硅功率模塊的可靠性測試，對試驗過程中每個環節的安全操作規范和操作步驟進行審核，確保試驗過程中的人員安全和試驗過程正確進行。 8.配合完成部門領導安排的其他工作。 崗位要求 1.碩士研究生及以上學歷，985、211學校優先，電子、電氣或相關工科專業背景； 2.1984年1月1日后出生，具有3年以上功率半導體器件性能與可靠性測試經驗，特別優秀的可適當放寬條件； 3.學習過半導體器件物理或功率半導體器件物理相關課程，熟悉二極管，IGBT和碳化硅功率器件和模塊的工作原理； 4.熟悉高壓大功率IGBT和碳化硅MOS性能參數及可靠性壽命要求，了解功率模塊可靠性測試設備的基本規格參數； 5.較強的動手能力及溝通能力，有責任心、團隊協作意識及敬業精神。