崗位職責:
1. 負責刻蝕工藝開發,包括半導體材料刻蝕工藝、介質層刻蝕工藝和金屬刻蝕工藝等。
2. 負責工藝異常調查與處理、現場工藝日常維護及SPC日常監控管理。
3. 負責工藝專題攻關,提升良率和器件性能。
4. 負責工藝優化,獨立完成工藝驗證報告、開發報告、異常報告。
5. 制定工藝規范文件,對相應設備操作人員進行技能培訓。
任職要求:
1. 碩士及以上學歷,半導體、微電子、電氣工程、物理、化學等相關專業畢業。
2. 有2年以上同行業經驗,了解ICP,ALE,RIE等工藝者,有Fab TD經驗者佳。