從事氮化鎵HEMT芯片技術的開發，實現新型的氮化鎵器件。 職責描述： 1. 負責氮化鎵器件設計、仿真和制程工藝研發； 2. 氮化鎵器件測試、封裝應用及可靠性研究； 3. 器件性能及工藝穩定性持續提升； 4. 設計硅基氮化鎵器件的結構和工藝流程； 5. 測試與工藝數據分析，確保開發的工藝流程的可靠性與重復性； 6. 與應用工程師相配合，了解應用與客戶需求，并對器件做相應的改進。 7. 參與GaN器件工藝平臺的開發； 8. 具備解決GaN器件參數優化及器件可靠性提升的能力； 任職要求： 1. 電子科學與技術、電磁場與微波技術和微電子等相關專業 2. 熟練掌握器件測試儀器操作，包括矢量網絡分析儀，半導體參數分析儀等 3. 掌握多種工藝不同類型器件建模，熟練掌握GaAs/GaN HEMT器件建模者優先 4. 具有較強的邏輯思維能力和學習能力 5. 會SILVACO，TCAD模擬者優先； 6. 碩士及以上學歷