崗位職責:
1. 進行基于DRAM制程的HKMG工藝平臺整合研發工作。與Design和Device Team根據高性能DRAM的產品需求,提煉出對器件的關鍵尺寸要求,電性要求和可靠性要求;領導Device以及Module等研發部門通過技術創新,新機臺引進,開發出適用于DRAM工藝平臺high thermal budget特點的器件。
2. 開發HKMG 工藝的PDK (Design Rule, EDR, Device Model…) 應用到N ,N+1, N+2 代DRAM 平臺,同時整合優化制程與前后道工藝實現兼容,最終實現高速低漏電的電學性能,高可靠性的終端產品要求。
3. 新產品導入以及良率提升。 從與design合作開始參與新產品設計評估;與tape out team 合作設計testkey, tape out光罩;與制程和生產部門合作pilot run;不斷進行工藝整合的優化升級,提升電學性能,可靠性能以及良率
任職要求:
1.碩士及以上學歷,微電子、集成電路、化學、物理、材料等相關專業。
2.有扎實的半導體器件物理基礎知識。
3.至少3年以上PI、 PE、YE相關經驗。
4.理解復雜的問題,推導、解釋為解決這些問題而采取的行動,并推動團隊執行。
5.熟悉Excel數據處理,對C++程序有基本了解。